Wafer Profile Controlとmulti-zoneプロセス制御

Equipment capability is changing

最新装置にはすでに空間制御機能がある

CMPやEtch装置はzone、temperature、gas distributionなどでcenter、middle、edgeを個別に調整できます。しかし制御ノブが多いだけでは目標プロファイルを作るレシピは自動的に決まりません。

ノブが増えるほど手動チューニングは難しくなる

zoneやactuatorが増えると相互作用も増え、新製品・新target profileのたびにprocessing、metrology、recipe adjustmentを繰り返す必要があります。

R2R制御は平均値からウェハ内分布へ拡張できる

装置に空間actuatorがあれば、制御対象をwafer-to-wafer平均値からcenter-middle-edge分布や直接定義したtarget profileへ拡張できます。

WIWNUは重要な管理指標です。productやdownstream processによっては、WIWNUの数値だけでなくwafer profile自体を望む形へ合わせることがより重要な場合があります。

target profileが変わればレシピを再計算する

新しいtarget profileを定義し、必要条件を再計算し、期待結果と装置制約を確認してから適用します。

手作業中心のtuningを、より短いcontrol workflowへ変えます

装置にすでにある制御能力を使い切る

実際の範囲は装置architecture、利用可能actuator、metrology、工程制約に依存します。

適用できる範囲

この考え方はCMPのようにmulti-zone actuatorが明確な工程で特に直感的です。Etchでもedge control、wafer temperature、gas distribution、location-specific processingなど装置のspatial control手段に応じて同じ考え方を適用できます。

実際のcontrol範囲は装置構造、利用可能なactuator、計測方式、工程制約によって変わります。Amfibianは各工程で実際に使えるcontrol variableを基準にmodelingとvalidation範囲を決めます。