적용 산업
공정 결과를 예측하고 생산 조건을 계속 조정해야 하는 정밀 제조 공정에 적용합니다.
반도체 제조
CMP, CVD, Etch, Cleaning 등 반복 공정에서 계측·
제거량과 두께를 예측하고
다음 wafer 조건을 계산할 수 있습니다
계측되지 않은 wafer의 결과를 추정하고, 목표값과 직전 결과를 바탕으로 polishing time·
Film 결과를 추정하고 공정 drift에 맞춰
다음 run을 보정할 수 있습니다
공정·
공정 신호로 상태와 결과를 판단하고
다음 run에 반영할 수 있습니다
OES 등 공정 신호와 장비 데이터로 결과를 추정하고, 목표값과의 차이를 다음 공정 조건에 반영할 수 있습니다.
제품·장비 조건 차이를 반영해
반복 공정을 운영할 수 있습니다
반복 공정을 운영할 수 있습니다
이전 공정 상태와 장비 데이터를 함께 반영해 결과를 모델링하고, 제품·
전력·화합물 반도체
SiC·
광반도체·포토닉스
박막 증착, 식각, 광학 특성 계측이 이어지는 공정에서 계측 공백을 보완하고 공정 조건을 안정적으로 유지합니다.
MEMS·센서
센서·
첨단 패키징
Bonding, CMP, plating 등 첨단 패키징 공정에서 계측과 공정 결과를 연결해 반복 보정을 자동화합니다.
디스플레이·
마이크로
디스플레이
마이크로
디스플레이
박막·
태양전지·
광전지
HJT, tandem, thin-film, perovskite 등 반도체형 공정을 사용하는 태양전지 제조에서 공정 상태와 품질을 연결해 관리합니다.
Boat·position별 편차를 모델링하고
batch 내 산포를 줄일 수 있습니다
batch 내 산포를 줄일 수 있습니다
batch 안의 위치별 차이를 모델링하고 zone·
계측 결과를 추정하고
chamber drift에 맞춰
조건을 보정할 수 있습니다
계측되지 않은 substrate의 결과를 추정하고, chamber 상태와 제품 조건에 맞춰 다음 run 또는 batch 조건을 조정할 수 있습니다.
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