產業
針對需要持續預測結果並調整生產條件的精密製造流程而設計。
半導體製造
在 CMP、CVD、Etch、Cleaning 等重複製程中連接量測、預測與控制，降低製程變動並最佳化條件。
推估 removal / thickness，
計算下一片晶圓條件
推估未量測晶圓的結果，並依目標值與前次結果計算 polishing time 與 recipe。也能調整各 zone 條件來控制 profile。
查看相關 Use Case →推估薄膜結果，依製程 drift 補償
下一個 run
利用製程與機台資料推估未量測的結果。也能反映 chamber、耗材變化與目標值，計算下一個 run 的條件。
查看相關 Use Case →由製程訊號判斷狀態，再回饋到下一個 run
利用 OES 等製程訊號與機台資料推估結果，並將與目標值的差異反映到下一個製程條件。
納入產品與機台差異，持續運行重複製程
結合前段製程狀態與機台資料建立結果模型，
並可依產品與機台訂定各自的營運標準。
功率與化合物半導體
在 SiC、GaN 等製程敏感度高的製造中，
同時管理機台、chamber 狀態與產品變動。
光子與光電
在薄膜沉積、Etch 與光學特性量測相連的製程中，補足量測空白並穩定維持製程條件。
MEMS 與感測器
在感測器與 MEMS 的多品種製程中，反映各產品條件與機台狀態，運行模型與控制政策。
先進封裝
在 Bonding、CMP、Plating 等先進封裝製程中連接量測與製程結果，自動化反覆補正。
顯示器與
微型顯示器
管理薄膜、Etch、沉積製程的空間均勻性與製程 drift。
太陽能與
Photovoltaics
在採用 HJT、tandem、thin-film、perovskite 等類半導體製程的太陽能電池製造中，連接製程狀態與品質進行管理。
建立 boat 與位置差異模型，
降低 batch 內變異
為 batch 內各位置的差異建立模型，調整 zone 與 position 條件以降低產品間的差異。
深入了解 Batch Control →推估未量測結果，
依 chamber 狀態變化補償
推估未量測的 substrate 結果，並依 chamber 狀態與產品條件調整下一個 run 或 batch 的條件。
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